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Avantages Disque SSD M.2 NVMe PCie Gen3 x 4 Corsair Force MP510 Performances de stockage exceptionnelles Le tout nouveau contrôleur de données hautes performances offre jusqu’à 3 480 Mos de lecture séquentielle et jusqu’à 2 000 Mos d’écriture séquentielle pour des temps de lecture, d’écriture et de réponse ultra rapides. Interface M.2 NVMe PCIe Gen3 x 4 Pour une connexion simple et une bande passante maximale. 3D TLC NAND haute densité Offre une combinaison idéale entre performances, endurance et rapport qualitéprix pour permettre à votre SSD de fonctionner au Logiciel Corsair SSD Toolbox Offre un contrôle du disque avancés depuis votre ordinateur, tels que l’effacement sécurisé et les mises à jour du micrologiciel.UsageLes SSD M.2 NVMe PCIe Gen3 x 4 CORSAIR Force MP510 offre des performances de stockage exceptionnelles avec une vitesse allant jusqu’à 3 480 Mos en lecture séquentielle et jusqu’à 2 000 Mos en écriture séquentielle pour des temps de lecture, d’écriture et de réponse ultra rapides.Toutes ces performances sont intégrées dans un format compact M.2 2280 et se connecte à une interface M.2 NVMe PCIe Gen3 x4, ce qui rend facile l’installation sur une carte mère ou un dans ordinateur portable compatible.Doté de la technologie 3D TLC NAND haute densité offrant une endurance d’écriture durable et assorti d’une garantie de cinq ans, le MP510 est conçu pour vous fournir des performances de stockage exceptionnelles sur le long terme.Que vous jouiez à des jeux, retouchiez des images ou créiez des vidéos, il est temps d’adopter la technologie NVMe si vous souhaitez aller plus vite.Caractéristiques Capacité SSD non formatée 480 Go Prise en charge intelligente SSD Oui Poids 0,055 kg SSD Interface PCIe Gen 3.0 x4 CDM de lecture séquentielle max SSD Jusqu'à 3,480 Mo s CDM d'écriture séquentielle max SSD Jusqu'à 2 000 Mo s IOMètre QD32 à écriture aléatoire maximale Jusqu'à 440K IOPS IOMètre QD32 à lecture aléatoire maximale Jusqu'à 360K IOPS Facteur de forme M.2 2280 Dimension 80 mm x 22 mm x 3 mm Consommateur d'application Client Technologie NAND 3D TLC NAND Tension 3,3 V, 5% Endurance 800 TBW TBW 800 MTBF 1800000 heures DEVSLP L1.2
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