M30 SSD 1TB

  Capacité 1 To Lecture séquentielle Jusqu’à 3500 Mos Ecriture séquentielle Jusqu’à 3000 Mos Interface PCIe 3.0x4, NVMe 1.3     Performance de stockage externe Avec le contrôleur et le flash de haute qualité, le SSD GIGABYTE M30 peut atteindre jusqu'à 3500 Mosec en lecture séquentielle et jusqu'à 3000 Mos en écriture séquentielle. De plus, il est livré avec la DRAM DDR3L, le cache SLC et la correction d'erreurs LDPC avancée pour améliorer les performances. C'est un choix idéal pour les joueurs, les passionnés de PC et les créateurs de contenu.   Briser les limites Le SSD GIGABYTE M30 offre des performances exceptionnelles jusqu'à 3 500 Mos en lecture séquentielle et jusqu'à 3 000 Mos en écriture séquentielle. Équipé d'une combinaison robuste de contrôleur et de NAND 3D, le M30 est jusqu'à 6 fois plus rapide que les disques SSD SATA III et atteint la limite de PCIe Gen3x4.   Conception de circuit imprimé en cuivre ultra durable de 2 oz Sous une charge de travail très sollicitée, la plupart des contrôleurs SSD peuvent culminer à plus de 70 °C. Dans cette situation, les disques commenceront à ralentir pour éviter de tomber en panne. Plus votre SSD est chaud, plus il use rapidement le flash à l'intérieur du lecteur. SSD GIGABYTE M30 appliqué avec une conception de circuit imprimé en cuivre de 2 oz, qui aide à dissiper la chaleur et à prévenir l'étranglement.   Température plus basse, meilleures performances Le SSD GIGABYTE M30 offre non seulement des performances incroyables, mais gère également de lourdes charges de travail sans surchauffe. Grâce à la solution thermique à efficacité améliorée en utilisant un circuit imprimé en cuivre de 2 oz, le SSD GIGABYTE M30 réduit les températures de fonctionnement de 16 % par rapport à un SSD ordinaire sans dissipateur thermique.   Cache DRAM DDR3L externe Le SSD GIGABYTE M30 est équipé d'un cache DRAM DDR3L haute vitesse et n'a pas besoin de réserver d'espace de sur approvisionnement, améliorant ainsi les performances de lectureécriture aléatoires. Cela signifie que les utilisateurs peuvent utiliser la pleine capacité du disque. De plus, la DRAM externe peut servir de tampon entre le contrôleur et la mémoire flash NAND pour des performances soutenues lorsque la capacité est occupée par de plus en plus de données.   Découvrez également la marque SAMSUNG